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弊社のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)インバータは高調波成分を抑制するために、空間電流ベクトルPWM(Pulse Width Modulation)制御方式を採用しております。
*空間電流ベクトルPWM制御方式とは、電流の位相、大きさを自由に設定できるパルス幅制御方式です。

1.IGBTインバータの特長
IGBTインバータは、交流を直流にするコンバータ部及び、直流を交流に変換するインバータ部ともパワー半導体素子としてIGBT素子を使用しております。コンバータ部は、上記空間ベクトルPWM制御方式を採用し高調波成分を抑制する制御をおこなっております。インバータ部は負荷のL、Cの共振周波数を利用してIGBTを駆動しております。
また、本電源は、従来のサイリスタインバータに比較して以下の特徴があります。
 ○高調波を低減・・・・本電源単独で、経済産業省のガイドライン以下の高調波に抑制
 ○安定的な制御・・・・転流余裕時間等を考慮する必要がなく、安定的な制御を実行
 ○広い可変幅・・・・・最低出力電圧を下げる事により幅広い電源制御が可能
 ○進み力率・・・・・・サイリスタ方式に遅れ力率から進み力率にし、電力系統の力率を改善
 ○マイコン搭載・・・・ベクトル制御用にRISCマイコンを搭載しており、多機能の制御、計測が可能


2.仕様の一例
 

出力 定格出力(kW) 25 50 75 100 150 200 300
最大出力(kW) 30 60 90 120 180 240 360
周波数(kHz) 1~4
入力 電圧(V) 3φ,200/220V±5% 3φ,400/440V±5%
容量(kVA) 40 80 115 155 235 310 470
冷却水 冷却水口径 25A 32A 40A
水量(L/min) 25 30 40 70 100
その他 水圧:0.2~0.4Pa 水温:5~32℃(結露しないこと)
外形寸法 巾 W(mm) 1000 1000 1100 1200 1300 1300 1500
奥行 D(mm) 1000 1100 1100 1200 1300 1300 1400
高さ H(mm) 1800 1800 2000 2000 2000 2000 2000

高調波抑制効果


設置例
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